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伟德1949娱乐手机版:刘伟景


  刘伟景

  

导师分类: “信息与通信工程”学术/专业硕士点导师

教师姓名:刘伟景      

教师职称:副教授

隶属系部:电子科学与技术、集成电路设计与集成系统

办公地址:上海市浦东新区临港新片区沪城环路1851号电信楼B504

Email: liuwj5500@163.com

 个人简介:

2010年于华东师范大学获微电子学与固体电子学博士学位,毕业后进入中芯国际(上海)研发部和先进半导体研发部从事集成电路与器件研发工作,201212月进入伟德1949娱乐手机版从事教学与科研工作。


研究方向与成果:

集成电路与器件物理层设计:TCAD设计与仿真(FinFET/GAAFET)、集成电路器模型技术、集成电路器件可靠性、新型微纳传感器及系统等。

主持市级纵向项目2项,参与包括国家973重大科学研究计划课题、国家自然科学基金、上海自然科学基金等科研项目10余项。近年在Microelectronics Journal, Sens. Actuators B, J. Appl. Phys. 等国内外重要学术期刊和国际会议发表论文30余篇,其中SCI收录20余篇(其中一作或通讯16, 他引300余次)、申请发明专利6项。

近三年代表成果:

1.         Ning Huang, Weijing Liu*, et al. Investigation and Optimization of Electrical and Thermal performance for 5-nm GAA Vertically Stacked Nanowire FETs,Microelectronics Journal 95 (2020) 104679

2.   Ning Huang, Weijing Liu*, et al. Thermal and Electrical performance investigation of FinFET with Encased Air-gap Gate Sidewalls from Spacer Encapsulation Layer Material and Structure Parameter Perspectives, Microelectronics Journal 103 (2020) 104846

3.      Zixin Chen, Weijing Liu*, et al. DC and analog/RF performance of C-shaped pocket TFET (CSP-TFET) with fully overlapping gate, Chin. Phys. B 31, 058501 (2022)

4.         Qiuhui Wang, Weijing Liu*, et al. High Sensitivity Humidity Sensors Based on Zn1-xSnxO Nanostructures and Plausible Sensing Mechanism, Physica Status SolidI A-Applications and Materials Science(2022), DOI:10.1002/pssa.202100674

5.     Xuguo Zhang, Weijing Liu*, Investigation and optimization of electro-thermal performance of Double Gate-All-Around MOSFET, Microelectronics Journal (2022), DOI:  10.1016/j.mejo.2022.105540.






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